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  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    2165
    5-24
    1.6470
    25-49
    1.5250
    50-99
    1.4396
    100-499
    1.4030
    500-2499
    1.3786
    2500-4999
    1.3481
    5000-9999
    1.3359
    ≥10000
    1.3176
  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    5575
    5-24
    1.7550
    25-49
    1.6250
    50-99
    1.5340
    100-499
    1.4950
    500-2499
    1.4690
    2500-4999
    1.4365
    5000-9999
    1.4235
    ≥10000
    1.4040
  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    8393
    5-24
    1.6065
    25-49
    1.4875
    50-99
    1.4042
    100-499
    1.3685
    500-2499
    1.3447
    2500-4999
    1.3150
    5000-9999
    1.3031
    ≥10000
    1.2852
  • 描述:
    低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    9881
    5-24
    2.0520
    25-49
    1.9000
    50-99
    1.7936
    100-499
    1.7480
    500-2499
    1.7176
    2500-4999
    1.6796
    5000-9999
    1.6644
    ≥10000
    1.6416

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